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DMTH10H005LCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3688pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.632
DMTH10H005SCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8474pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.776
DMTH10H009LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.726
DMTH10H009SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.312
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 100V 108A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2592pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 166W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.462
DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2592pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 166W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.780
DMTH10H010LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2592pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W, 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.950
DMTH10H010SCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB T Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4468pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.478
DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.8A (Ta), 123A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.468nF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.266
DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.8A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4468pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 166W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.524
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager7.218
DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.208
DMTH10H015SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2343pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.040
DMTH10H015SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2343pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.830
DMTH10H025LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1477pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.272
DMTH10H025LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1477pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.802
DMTH10H025LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.070
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.410
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.978
DMTH10H030LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 28A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager7.452
DMTH10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.418
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 100A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.334
DMTH3004LFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.556
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.508
DMTH3004LFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.076
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.194
DMTH3004LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.632
DMTH3004LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 21A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 107W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager4.950
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 22A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.574
DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 22A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7nC @ 15V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.706

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