Transistoren

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DMNH3010LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 15A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager4.662
DMNH4004SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.812
DMNH4005SCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2846pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.254
DMNH4005SCTQ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2846pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.974
DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2847pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.132
DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 18A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.762
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 20A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.616
DMNH4006SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.654
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 40V 110A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.032
DMNH4011SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1405pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.770
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1405pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.492
DMNH4011SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 40V 13A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1405pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.074
DMNH4011SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.9A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1405pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.644
DMNH45M7SCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 41V-60V TO220-3 TU Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4043pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 240W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.798
DMNH6008SCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 130A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2596pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 210W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.820
DMNH6008SCTQ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 130A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2596pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 210W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.822
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2597pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.208
DMNH6008SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2597pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager24.504
DMNH6011LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3077pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.986
DMNH6011LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3077pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.578
DMNH6012LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 60A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1926pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager5.202
DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 80A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1926pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager24.462
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1926pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.942
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 50A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1926pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.410
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 50A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager3.744
DMNH6021SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 50A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager22.800
DMNH6021SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 55A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1016pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.938
DMNH6021SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 55A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1016pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager26.640
DMNH6042SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 25A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 492pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager2.538
DMNH6042SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 25A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-4L Paket / Fall: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Auf Lager8.244

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