Transistoren

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BUK98150-55,135 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.582
BUK98150-55A,135 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.678
BUK98150-55A/CUF Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager623.382
BUK98150-55/CUF Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.130
BUK98180-100A,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.014
BUK98180-100A/CUX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager556.098
BUK9832-55A,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1594pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.100
BUK9832-55A/CUX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1594pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager759.276
BUK9840-55,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.520
BUK9840-55/CUX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 10.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.544
BUK9875-100A,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.340
BUK9875-100A/CUX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager265.524
BUK9880-55,135 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.364
BUK9880-55A,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.682
BUK9880-55A/CUX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager1.060.482
BUK9880-55/CUF Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-73 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.896
BUK9907-40ATC,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5836pF @ 25V FET-Funktion: Temperature Sensing Diode Verlustleistung (max.): 272W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Paket / Fall: TO-220-5	Auf Lager6.408
BUK9907-55ATE,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5836pF @ 25V FET-Funktion: Temperature Sensing Diode Verlustleistung (max.): 272W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Paket / Fall: TO-220-5	Auf Lager4.806
BUK9C10-55BIT/A,11 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 55V N CH TRENCHFET Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchPLUS FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4667pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 194W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.894
BUK9C10-65BIT,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 9605 AUTO TRENCH PLUS Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.6nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 171W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager3.690
BUK9C1R3-40EJ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V D2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager2.412
BUK9C2R2-60EJ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V D2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager3.402
BUK9C3R8-80EJ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V D2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager8.136
BUK9C5R3-100EJ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V D2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager3.114
BUK9D23-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager27.516
BUK9E04-30B,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6526pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 254W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.732
BUK9E04-40A,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.012
BUK9E06-55A,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.874
BUK9E06-55B,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7565pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 258W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.442
BUK9E08-55B,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 203W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager21.090

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