Transistoren

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BUK661R6-30C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14964pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.478
BUK661R8-30C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10918pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.686
BUK661R9-40C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager32.592
BUK662R4-40C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11334pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager19.416
BUK662R5-30C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6960pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 204W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager18.756
BUK662R7-55C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager29.976
BUK663R2-40C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 204W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager96.552
BUK663R5-30C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.516
BUK663R5-55C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11516pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.544
BUK663R7-75C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.742
BUK664R4-55C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 204W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager30.216
BUK664R6-40C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.836
BUK664R8-75C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.032
BUK6C2R1-55C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 228A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager4.770
BUK6C3R3-75C,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 181A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager3.418
BUK6D120-60PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta), 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager55.998
BUK6D23-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 582pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager25.710
BUK6D43-40PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager133.872
BUK6D43-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager101.538
BUK6E2R0-30C,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14964pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.226
BUK6E2R3-40C,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.286
BUK6E3R2-55C,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.472
BUK6E3R4-40C,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 204W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.726
BUK6E4R0-75C,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.400
BUK6Y12-30PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 67A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.88nF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager2.214
BUK6Y15-40PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 63A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.47nF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager5.904
BUK6Y20-30PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1408pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager7.200
BUK6Y25-40PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1591pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager7.668
BUK6Y32-60PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.59nF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager5.148
BUK6Y57-60PX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.2nF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.960

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