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BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager1.809.072
BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager4.752
BSS138W L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager4.950
BSS138W L6433 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.940
BSS138W-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.246
BSS139 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.076
BSS139 E6906 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.420
BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager330.744
BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.556
BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.898
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.802
BSS159N E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.498
BSS159N E6906 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.712
BSS159NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.410
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager25.914
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager29.460
BSS159NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.812
BSS159NL6906HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.914
BSS169 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.220
BSS169 E6906 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.868
BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager139.098
BSS169H6906XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 10V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.960
BSS169L6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.142
BSS169L6906HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 68pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.114
BSS192,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager601.248
BSS192,135 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager2.100
BSS192PE6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager5.022
BSS192PE6327T Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager8.748
BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager176.844
BSS192PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager5.508

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