Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager22.038
BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.370
BSP296NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.574
BSP297 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 660mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 357pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.870
BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 660mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 357pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager74.400
BSP297L6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 660mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 357pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.722
BSP298 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.020
BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager20.826
BSP298L6327HUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.534
BSP299 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.520
BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager248.094
BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.138
BSP300 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.448
BSP300H6327XUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager21.270
BSP300L6327HUSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.472
BSP304A,126 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager3.690
BSP315P-E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.164
BSP315PE6327T Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.826
BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.834
BSP315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.624
BSP316PE6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.754
BSP316PE6327T Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.184
BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.538
BSP316PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.700
BSP317PE6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 430mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.960
BSP317PE6327T Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 430mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.406
BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 430mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager17.328
BSP317PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 430mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.228
BSP318S E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.928
BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.6A Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.082

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