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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BSH103,235 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 850mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager97.050
BSH105,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.05A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager160.830
BSH105,235 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.05A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager74.532
BSH108,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager69.222
BSH111,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 335mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.514
BSH111,235 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 335mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.668
BSH111BKR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 210mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 302mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager852.588
BSH112,235 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.250
BSH114,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager140.436
BSH121,135 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.732
BSH201,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 48V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager377.202
BSH202,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 520mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager119.232
BSH203,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 470mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager627.384
BSH205,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 9.6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.958
BSH205G2R Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager230.826
BSH205G2VL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.740
BSH207,135 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.52A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 9.6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager3.240
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1147pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager8.352
BSL202SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1147pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager7.380
BSL207SP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager40.472
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager24.678
BSL207SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.114
BSL211SP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager2.078
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager233.310
BSL211SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.392
BSL211SPT Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.868
BSL296SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager6.804
BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.014
BSL302SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.292
BSL303SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1401pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.400

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