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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
APT35SM70S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.766
APT36N90BC3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7463pF @ 25V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.834
APT37F50B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.976
APT37F50S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.802
APT37M100B2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9835pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager452
APT37M100L Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9835pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.948
APT38F50J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 355W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.048
APT38F80B2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8070pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager2.124
APT38F80L Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8070pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.514
APT38M50J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.158
APT38N60BC6 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.812
APT38N60SC6 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.376
APT39F60J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.156
APT39M60J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.416
APT4012BVR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.952
APT4012BVRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.442
APT4016BVRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.336
APT4065BNG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.516
APT40M35JVFR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 93A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 46.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1065nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.628
APT40M42JN Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 760nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.384
APT40M70JVFR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.808
APT40M70LVFRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.352
APT40M75JN Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.346
APT40N60JCU2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7015pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.796
APT40N60JCU3 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7015pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.750
APT40SM120B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 273W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.712
APT40SM120J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.874
APT40SM120S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 273W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.136
APT41F100J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.084
APT41M80B2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8070pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager5.652

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