Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1010/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
AOTF20S60_900 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO220 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.256
AOTF20S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1038pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager22.836
AOTF2142L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 112A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 112A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8320pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 41W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.146
AOTF2210L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta), 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2065pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Ta), 36.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.922
AOTF22N50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.218
AOTF22N50_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO220 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.876
AOTF22N50L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.974
AOTF240L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 20A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3510pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta), 41W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager27.462
AOTF256L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 3A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.974
AOTF25S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 25A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1278pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.182
AOTF2606L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 13A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4050pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 36.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.798
AOTF260L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 19A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta), 92A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta), 46.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.754
AOTF2610L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 35A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.042
AOTF2618L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 16A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 23.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.272
AOTF262L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8140pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.056
AOTF266L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 18A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5650pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.148
AOTF27S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 27A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1294pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager17.856
AOTF286L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 80V 56A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.5A (Ta), 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3142pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 37.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.164
AOTF288L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Ta), 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 35.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.454
AOTF290L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 72A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7180pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.690
AOTF2910L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 22A TO220 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.124
AOTF2916L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 5A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 23.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.830
AOTF2918L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 58A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 41W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.156
AOTF292L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 70A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6775pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 47W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.248
AOTF296L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 36.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager15.096
AOTF298L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 33A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.946
AOTF29S50L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 29A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1312pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.104
AOTF2N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.194
AOTF2N60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.158
AOTF380A60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 600V A MOS5TM N-CHANNLE POWER TR Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager20.040

«
‹
1
...
1007
1008
1009
1010 (current)
1011
1012
1013
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message