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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DGD0506FN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 1V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 17ns, 12ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10 (Type TH)	Auf Lager8.802
DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2A Eingabetyp: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 16ns, 18ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10	Auf Lager6.012
DGD0507FN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 1V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 17ns, 13ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10 (Type TH)	Auf Lager2.844
DGD05463FN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 17ns, 12ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10	Auf Lager7.056
DGD05463M10-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRV HALFBRDG 10MSOP 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 17ns, 12ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 10-MSOP	Auf Lager8.100
DGD05473FN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 0.3V ~ 60V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 16ns, 12ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10	Auf Lager4.014
DGD05473FNQ-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber HV GATE DRIVER U-DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q100 Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 4.7V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2.5A Eingabetyp: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 16ns, 12ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN3030-10	Auf Lager4.698
DGD0547FN-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 0.3V ~ 60V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.5A, 2A Eingabetyp: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 16ns, 12ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3030-10	Auf Lager5.544
DGD0590AFU-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber HV GATE DRIVER V-QFN3030-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH: - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1A, 3A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 27ns, 29ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: V-QFN3030-8 (Type TH)	Auf Lager6.570
DGD0590FU-7 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH: 1V, 3.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1A, 3A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 27ns, 29ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: V-QFN3030-8	Auf Lager6.120
DGD0636MS28-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber HV GATE DRIVER SO-28 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: 3-Phase Anzahl der Treiber: 6 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 200mA, 350mA Eingabetyp: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 90ns, 35ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SO	Auf Lager3.168
DGD0636S28-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: 3-Phase Anzahl der Treiber: 6 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 200mA, 350mA Eingabetyp: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 90ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SO	Auf Lager8.658
DGD1503S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager19.164
DGD1504S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.110
DGD2003S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE HV DRVR SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO Type TH	Auf Lager25.278
DGD2005S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.794
DGD2012S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 1.9A, 2.3A Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 40ns, 20ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.804
DGD2101MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: High-Side or Low-Side Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.268
DGD2101S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.734
DGD21032S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.646
DGD2103AS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 50ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.132
DGD2103MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.544
DGD2103S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.804
DGD21042S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.914
DGD2104AS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 210mA, 360mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 50ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.766
DGD2104MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager20.574
DGD2104S8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 70ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.246
DGD21064MS14-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRDG 14SO 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SO	Auf Lager8.748
DGD21064S14-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Independent Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SO	Auf Lager8.280
DGD2106MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC - Gate-Treiber IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Angetriebene Konfiguration: Half-Bridge Kanaltyp: Synchronous Anzahl der Treiber: 2 Gate-Typ: IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke): 290mA, 600mA Eingabetyp: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ): 100ns, 35ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.168

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