Speicher-ICs

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IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.394
IS64LF12836A-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager5.364
IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager6.732
IS64LF12836EC-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.848
IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager4.428
IS64LF204818B-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.516
IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.518
IS64LF25636A-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager8.928
IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.596
IS64LF25636A-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.228
IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.490
IS64LPS102436B-166B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 119PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BBGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager3.436
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 119PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BBGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.984
IS64LPS102436B-166B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.560
IS64LPS102436B-166B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.722
IS64LPS102436B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.122
IS64LPS102436B-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.042
IS64LPS12832A-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.238
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.928
IS64LPS12832EC-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.398
IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.858
IS64LPS204818B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.636
IS64LPS204818B-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.114
IS64LPS25636A-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.086
IS64LPS25636A-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager2.376
IS64LV25616AL-12BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)	Auf Lager6.120
IS64LV25616AL-12BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)	Auf Lager5.688
IS64LV25616AL-12TA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager6.084
IS64LV25616AL-12TA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager8.100
IS64LV25616AL-12TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager5.886

IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4Mb (128K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.394

IS64LF12836A-7.5B3LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager5.364

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager6.732

IS64LF12836EC-7.5B3LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.848

IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager4.428

IS64LF204818B-7.5TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.516

IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.518

IS64LF25636A-7.5B3LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager8.928

IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.596

IS64LF25636A-7.5TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.228

IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager3.490

IS64LPS102436B-166B2LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BBGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager3.436

IS64LPS102436B-166B2LA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BBGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.984

IS64LPS102436B-166B3LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.560

IS64LPS102436B-166B3LA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.722

IS64LPS102436B-166TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.122

IS64LPS102436B-166TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager3.042

IS64LPS12832A-200TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4Mb (128K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.238

IS64LPS12832A-200TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4Mb (128K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.928

IS64LPS12832EC-200TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4Mb (128K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.398

IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4Mb (128K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.858

IS64LPS204818B-166TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager3.636

IS64LPS204818B-166TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager3.114

IS64LPS25636A-166TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.086

IS64LPS25636A-166TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager2.376

IS64LV25616AL-12BLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

Auf Lager6.120

IS64LV25616AL-12BLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

Auf Lager5.688

IS64LV25616AL-12TA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

Auf Lager6.084

IS64LV25616AL-12TA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

Auf Lager8.100

IS64LV25616AL-12TLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

Auf Lager5.886

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