Speicher-ICs

5962-8855202XA

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 256Kb (32K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 28-CerDip

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5962-8855204XA

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 256Kb (32K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 28-CerDip

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5962-9232404MXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 28-CDIP

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5962-9232404MYA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-LCC
• Lieferantengerätepaket: 28-LCC (13.97x8.89)

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5962-9232406MYA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-LCC
• Lieferantengerätepaket: 28-LCC (13.97x8.89)

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5962-9459901MXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 28-CDIP

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5962-9459903MXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 28-CDIP

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5962-9459903MYA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-LCC
• Lieferantengerätepaket: 28-LCC (13.97x8.89)

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5962F1120101QXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 165-BFCCGA
• Lieferantengerätepaket: 165-CCGA (21x25)

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5962F1120102QXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 165-BFCCGA
• Lieferantengerätepaket: 165-CCGA (21x25)

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5962F1120201QXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 165-BFCCGA
• Lieferantengerätepaket: 165-CCGA (21x25)

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5962F1120202QXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 165-BFCCGA
• Lieferantengerätepaket: 165-CCGA (21x25)

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5962F1123501QXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36CERPAK

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 83MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 36-CFlatPack
• Lieferantengerätepaket: 36-Ceramic FlatPack

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602-00001

Parallax

Speicher

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: I²C
• Taktfrequenz: 400kHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
• Zugriffszeit: 900ns
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 8-DIP

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602-00005

Parallax

Speicher

IC EEPROM 2K 8DIP

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 2Kb (256 x 8)
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 8-DIP

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602-00013

Parallax

Speicher

IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8DIP

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 128Kb (16K x 8)
• Speicherschnittstelle: I²C
• Taktfrequenz: 400kHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
• Zugriffszeit: 900ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 8-DIP

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602-00032

Parallax

Speicher

IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8DIP

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 256Kb (32K x 8)
• Speicherschnittstelle: I²C
• Taktfrequenz: 400kHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
• Zugriffszeit: 900ns
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 8-DIP

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602-10001

Parallax

Speicher

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 512Kb (64K x 8)
• Speicherschnittstelle: I²C
• Taktfrequenz: 1MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
• Zugriffszeit: 550ns
• Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP

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602-20011

Parallax

Speicher

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 4Kb (512 x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 2MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 6ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

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602-20012

Parallax

Speicher

IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

• Hersteller: Parallax Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: EEPROM
• Technologie: EEPROM
• Speichergröße: 128Kb (16K x 8)
• Speicherschnittstelle: I²C
• Taktfrequenz: 1MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
• Zugriffszeit: 400ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

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6116LA120DB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns
• Zugriffszeit: 120ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 24-CDIP

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6116LA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns
• Zugriffszeit: 120ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 24-CDIP

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6116LA150DB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns
• Zugriffszeit: 150ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 24-CDIP

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6116LA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns
• Zugriffszeit: 150ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 24-CDIP

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6116LA15SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 24-SOIC

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6116LA20SOG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 24-SOIC

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6116LA20SOG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 24-SOIC

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6116LA20SOGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 24-SOIC

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6116LA20SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 24-SOIC

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6116LA20TDB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• Lieferantengerätepaket: 24-CDIP

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