Speicher-ICs

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70V3579S5BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.856
70V3579S5DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager7.920
70V3579S5DRI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager4.626
70V3579S6BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.570
70V3579S6BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.490
70V3579S6BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.762
70V3579S6BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.132
70V3579S6BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.006
70V3579S6BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.174
70V3579S6DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager6.948
70V3589S133BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.240
70V3589S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.592
70V3589S133BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.712
70V3589S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.372
70V3589S133BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.430
70V3589S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.812
70V3589S133BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.038
70V3589S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.956
70V3589S133DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager2.916
70V3589S133DRG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager7.902
70V3589S133DRG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager8.334
70V3589S133DRGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager6.894
70V3589S133DRGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager3.924
70V3589S133DRI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager2.466
70V3589S166BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.564
70V3589S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.722
70V3589S166BCG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.624
70V3589S166BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.928
70V3589S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.246
70V3589S166BFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager6.606

70V3579S5BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.856

70V3579S5DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager7.920

70V3579S5DRI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager4.626

70V3579S6BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.570

70V3579S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.490

70V3579S6BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.762

70V3579S6BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.132

70V3579S6BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.006

70V3579S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.174

70V3579S6DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager6.948

70V3589S133BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.240

70V3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.592

70V3589S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.712

70V3589S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.372

70V3589S133BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.430

70V3589S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.812

70V3589S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.038

70V3589S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.956

70V3589S133DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager2.916

70V3589S133DRG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager7.902

70V3589S133DRG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager8.334

70V3589S133DRGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager6.894

70V3589S133DRGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager3.924

70V3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager2.466

70V3589S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.564

70V3589S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.722

70V3589S166BCG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.624

70V3589S166BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.928

70V3589S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.246

70V3589S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager6.606

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