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W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager7.038
W632GG6KB-12 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager8.046
W632GG6KB12I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager4.194
W632GG6KB12I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager6.120
W632GG6KB12J Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager2.682
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager3.042
W632GG6KB-15 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager6.714
W632GG6KB15I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager539
W632GG6KB15I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager8.280
W632GG6KB15J Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager7.416
W632GG6KB-15 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager7.866
W632GG6KB-18 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-WBGA (9x13)	Auf Lager6.678
W632GG6MB-07 Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager8.568
W632GG6MB-08 Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.204
W632GG6MB-09 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1066MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager6.156
W632GG6MB09I Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.067GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager2.376
W632GG6MB09J Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2G DDR3 IND 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.067GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager8.478
W632GG6MB-11 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.834
W632GG6MB11I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager8.766
W632GG6MB-11 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager5.544
W632GG6MB-12 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager8.046
W632GG6MB12I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager2.988
W632GG6MB12I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager6.084
W632GG6MB12J Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2GBIT 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.564
W632GG6MB-12 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.942
W632GG6MB-15 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.024
W632GG6MB15I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager3.420
W632GG6MB15I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager2.808
W632GG6MB15J Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 2GBIT 96WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager4.356
W632GG6MB-15 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-VFBGA (7.5x13)	Auf Lager2.016

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