Speicher-ICs

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TC58CVG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: SPI - Quad I/O Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 280µs Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)	Angebot anfordern
TC58CYG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 155µs Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOP	Auf Lager6.750
TC58CYG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)	Auf Lager8.292
TC58CYG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)	Auf Lager8.016
TC58CYG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)	Auf Lager3.798
TC58NVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager26.490
TC58NVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager6.120
TC58NVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager14.410
TC58NVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager3.522
TC58NVG1S3ETA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager25.230
TC58NVG1S3ETAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager2.304
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager3.159
TC58NVG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager197.921
TC58NVG1S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager96.166
TC58NVG1S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager75.365
TC58NVG2S0FTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager1.236
TC58NVG2S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager8.982
TC58NVG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager6.396
TC58NVG2S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager4.752
TC58NVG2S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager7.056
TC58NVG3S0FTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager1
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager8.256
TC58NYG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 2G NAND SLC 24NM BGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager6.180
TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager7.920
TC58NYG2S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager7.728
TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager7.968
TE28F128J3D75A Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: StrataFlash™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NOR Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 75ns Zugriffszeit: 75ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 56-TSOP	Auf Lager3.762
TE28F128J3D75B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: StrataFlash™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NOR Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 75ns Zugriffszeit: 75ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 56-TSOP	Auf Lager4.680
TE28F128P30B85A Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: StrataFlash™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NOR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 40MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 56-TSOP	Auf Lager6.408
TE28F128P30T85A Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: StrataFlash™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NOR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 40MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 56-TSOP (18.4x14)	Auf Lager7.776

TC58CVG2S0HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: SPI - Quad I/O
Taktfrequenz: 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 280µs
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

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TC58CYG0S3HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: SPI
Taktfrequenz: 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 155µs
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket: 16-SOP

Auf Lager6.750

TC58CYG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: SPI
Taktfrequenz: 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

Auf Lager8.292

TC58CYG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: SPI
Taktfrequenz: 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

Auf Lager8.016

TC58CYG2S0HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: SPI
Taktfrequenz: 104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

Auf Lager3.798

TC58NVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager26.490

TC58NVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager6.120

TC58NVG0S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager14.410

TC58NVG0S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager3.522

TC58NVG1S3ETA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager25.230

TC58NVG1S3ETAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager2.304

TC58NVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager3.159

TC58NVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager197.921

TC58NVG1S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager96.166

TC58NVG1S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager75.365

TC58NVG2S0FTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager1.236

TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager8.982

TC58NVG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager6.396

TC58NVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager4.752

TC58NVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager7.056

TC58NVG3S0FTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager1

TC58NYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager8.256

TC58NYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

2G NAND SLC 24NM BGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager6.180

TC58NYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager7.920

TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager7.728

TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager7.968

TE28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology Inc.
Serie: StrataFlash™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NOR
Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 75ns
Zugriffszeit: 75ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 56-TSOP

Auf Lager3.762

TE28F128J3D75B TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology Inc.
Serie: StrataFlash™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NOR
Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 75ns
Zugriffszeit: 75ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 56-TSOP

Auf Lager4.680

TE28F128P30B85A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology Inc.
Serie: StrataFlash™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NOR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
Zugriffszeit: 85ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 56-TSOP

Auf Lager6.408

TE28F128P30T85A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology Inc.
Serie: StrataFlash™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NOR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
Zugriffszeit: 85ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 56-TSOP (18.4x14)

Auf Lager7.776

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