Speicher-ICs

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70T3319S133BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.626
70T3319S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.886
70T3319S166BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.812
70T3319S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.078
70T3319S166BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.778
70T3319S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.554
70T3319S166BFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager8.712
70T3319S166BFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager4.626
70T3319S200BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.4ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.534
70T3319S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.4ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.434
70T3339S133BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.806
70T3339S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.380
70T3339S133BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.078
70T3339S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.816
70T3339S133BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.400
70T3339S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.696
70T3339S133BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.689
70T3339S133BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.798
70T3339S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.010
70T3339S166BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager5.652
70T3339S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.218
70T3339S166BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.316
70T3339S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.502
70T3339S200BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.4ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.784
70T3339S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.4ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.590
70T3339S200BCG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.4ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.910
70T3399S133BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.010
70T3399S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.056
70T3399S133BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.056
70T3399S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.160

70T3319S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.626

70T3319S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.886

70T3319S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.812

70T3319S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.078

70T3319S166BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.778

70T3319S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.554

70T3319S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager8.712

70T3319S166BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager4.626

70T3319S200BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.4ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.534

70T3319S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.4ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.434

70T3339S133BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.806

70T3339S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.380

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.078

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.816

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.400

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.696

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.689

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.798

70T3339S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.010

70T3339S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager5.652

70T3339S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.218

70T3339S166BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.316

70T3339S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.502

70T3339S200BC

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.4ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.784

70T3339S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.4ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.590

70T3339S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.4ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.910

70T3399S133BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.010

70T3399S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.056

70T3399S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.056

70T3399S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.160

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