Speicher-ICs

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R1LP0108ESF-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP (8x20)	Auf Lager3.798
R1LP0108ESN-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager8.802
R1LP0108ESN-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager8.046
R1LP0108ESN-5SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager5.004
R1LP0108ESN-5SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager6.246
R1LP0108ESN-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1MBIT 70NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager6.534
R1LP0108ESN-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager1.588
R1LP0108ESN-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1MBIT 70NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager6.012
R1LP0108ESN-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager6.984
R1LP0408DSB-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager3.582
R1LP0408DSB-5SI#B1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager8.244
R1LP0408DSB-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager2.808
R1LP0408DSB-5SI#S1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager8.676
R1LP0408DSB-5SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager7.560
R1LP0408DSB-5SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager4.716
R1LP0408DSB-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager2.286
R1LP0408DSB-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager6.138
R1LP0408DSP-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager4.197
R1LP0408DSP-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager656
R1LP0408DSP-5SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager8.928
R1LP0408DSP-5SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager7.506
R1LP0408DSP-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager3.492
R1LP0408DSP-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager989
R1LP0408DSP-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager7.398
R1LP0408DSP-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager8.316
R1LP5256ESA-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager8.676
R1LP5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager4.662
R1LP5256ESA-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager8.280
R1LP5256ESA-5SI#S1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager6.768
R1LP5256ESA-5SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager2.826

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