Speicher-ICs

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NAND512R3A3AZA6E STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns Zugriffszeit: 60ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 55-TFBGA Lieferantengerätepaket: 55-VFBGA (8x10)	Auf Lager2.232
NAND512W3A0AN6 STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager5.706
NAND512W3A0AN6E STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager7.596
NAND512W3A0AV6E STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48WSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-UFSOP (0.606",15.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-WSOP (12x17)	Auf Lager8.892
NAND512W3A2BN6E STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager2.602
NAND512W3A2BN6F STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager7.830
NAND512W3A2BZA6E STMicroelectronics	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (8.5x15)	Auf Lager761
NAND512W3A2CN6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager3.340
NAND512W3A2CZA6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager696
NAND512W3A2DN6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager24.208
NAND512W3A2DZA6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager2.148
NAND512W3A2SE06 Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.460
NAND512W3A2SN6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager103.745
NAND512W3A2SN6F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager8.910
NAND512W3A2SNXE Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager3.078
NAND512W3A2SZA6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager14.854
NAND512W3A2SZA6F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager5.724
NAND512W3A2SZAXE Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager2.412
NAND512W4A0AN6E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager8.532
NANDAAR4N4AZBA5E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 2G SDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.348
NDB16PFC-4DIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC DDR2 DRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager21.750
NDB16PFC-5EET Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager25.860
NDD36PT6-2AIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager21.888
NDD56PT6-2AIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager8.838
NDL16PFJ-8KET Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x13)	Auf Lager4.590
NDL16PFJ-8KIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-VFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x13)	Auf Lager5.256
NDL26PFG-8KIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager6.264
NDL26PFG-9MIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager2.394
NDL28PFH-8KIT Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-VFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager19.530
NDL28PFH-9MET Insignis Technology Corporation	Speicher IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA Hersteller: Insignis Technology Corporation Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-VFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager39.204

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