Speicher-ICs

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MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.726
MT53E768M32D4DT-046 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.660
MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.534
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.682
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.448
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager355
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.632
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager643
MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.910
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.202
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.490
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.734
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.182
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.874
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.736
MT58K256M321JA-100:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 256X32 190FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 190-TFBGA Lieferantengerätepaket: 190-FBGA (10x14)	Auf Lager4.644
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager8.190
MT61K256M32JE-12:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager6.048
MT61K256M32JE-13:A Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.625GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager7.920
MT61K256M32JE-13:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.625GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager4.086
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager3.472
MT61K256M32JE-14:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager6.138
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM GDDR6 180FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 7GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.391V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager8.082
MT61K512M32KPA-14:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM GDDR6 180FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 7GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.391V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager2.898
MT61K512M32KPA-16:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM GDDR6 180FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 8GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.391V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager2.772
MT61K512M32KPA-16:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM GDDR6 180FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 8GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.391V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager7.308
MT61M256M32JE-10 AAT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.21V ~ 1.29V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager8.856
MT61M256M32JE-10 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.21V ~ 1.29V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager3.492
MT61M256M32JE-10 N:A Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.21V ~ 1.29V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager7.470
MT61M256M32JE-10 N:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR6 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.21V ~ 1.29V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 180-TFBGA Lieferantengerätepaket: 180-FBGA (12x14)	Auf Lager3.454

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