Speicher-ICs

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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager3.762
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager5.472
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager4.590
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager3.135
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager3.348
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager4.194
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 376-WFBGA Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)	Auf Lager7.650
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager4.482
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager4.950
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager6.390
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager5.940
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager3.526
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager7.110
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager8.946
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 556-WFBGA Lieferantengerätepaket: 556-WFBGA (12.4x12.4)	Auf Lager5.094
MT53D512M64D4SB-046 XT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.780
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.524
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.056
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.290
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.236
MT53D512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (12x12.7)	Auf Lager2.034
MT53D512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 32G SMD Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.768
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (12x12.7)	Auf Lager3.204
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 366-WFBGA Lieferantengerätepaket: 366-WFBGA (12x12.7)	Auf Lager5.184
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.988
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.186
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.004
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.406
MT53D6DABE-DC Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.788
MT53D768M32D2DS-046 WT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.988

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