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MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 6Gb (384M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.058
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM 6GBIT DIE Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 6Gb (384M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.276
MT53B384M16D1Z0AQWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM 6GBIT DIE Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 6Gb (384M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.272
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.128
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.526
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.658
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.838
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.472
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.598
MT53B384M32D2DS-062 XT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.934
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.154
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.272
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.636
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.380
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.776
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.156
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.790
MT53B384M32D2NP-062 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.668
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.552
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.780
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.716
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.508
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.192
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.066
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.226
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.588
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.830
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.812
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager4.518
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-WFBGA Lieferantengerätepaket: 272-WFBGA (15x15)	Auf Lager7.974

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