Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1202/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.2V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 253-VFBGA Lieferantengerätepaket: 253-VFBGA (11x11.5)	Auf Lager8.082
MT52L768M32D3PU-107 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.2V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager6.930
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.2V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager6.066
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (768M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.2V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager9.419
MT52L8DBQC-DC Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.984
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.508
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.806
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.190
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.552
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.104
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-VFBGA Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.482
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (1G x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.230
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (1G x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.312
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (1G x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.462
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (1G x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.010
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.816
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.084
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager13.938
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.970
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager10.476
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.646
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.582
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.266
MT53B128M32D1DS-062 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 4G FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.222
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.714
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.292
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.604
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.956
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager8.010
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.364

«
‹
1
...
1199
1200
1201
1202 (current)
1203
1204
1205
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message