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Speicher-ICs

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Beschreibung
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MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Speichergröße: 32Gb (512M x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.2V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 253-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 253-VFBGA (11x11.5)
Auf Lager8.082
MT52L768M32D3PU-107 WT:B
MT52L768M32D3PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 24G 933MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Speichergröße: 24Gb (768M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.2V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)
Auf Lager6.930
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Speichergröße: 24Gb (768M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.2V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)
Auf Lager6.066
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Speichergröße: 24Gb (768M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.2V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)
Auf Lager9.419
MT52L8DBQC-DC
MT52L8DBQC-DC

Micron Technology Inc.

Speicher

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Speichertyp: -
  • Speicherformat: -
  • Technologie: -
  • Speichergröße: -
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.984
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1866MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager5.508
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1866MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager4.806
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager8.190
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager6.552
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager4.104
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager4.482
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 64Gb (1G x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.230
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 64Gb (1G x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.312
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 64Gb (1G x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.462
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 64Gb (1G x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager8.010
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1866MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1866MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager3.816
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1866MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1866MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager6.084
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager13.938
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager2.970
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager10.476
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager2.646
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager3.582
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager4.266
MT53B128M32D1DS-062 IT:A
MT53B128M32D1DS-062 IT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM LPDDR4 4G FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1.6GHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.222
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager6.714
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager5.292
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager8.604
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager7.956
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
Auf Lager8.010
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1600MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)
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