Speicher-ICs

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MT29F4G01ADAGDSF-IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G SPI SOIC Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (4G x 1) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOP	Auf Lager8.316
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G SPI SOIC Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (4G x 1) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOP	Auf Lager2.862
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G SPI UPDFN Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (4G x 1) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UDFN Lieferantengerätepaket: 8-U-PDFN (8x6)	Auf Lager2.304
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G SPI 8UPDFN Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (4G x 1) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UDFN Lieferantengerätepaket: 8-U-PDFN (8x6)	Auf Lager7.344
MT29F4G08AAAWP:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager4.338
MT29F4G08AACHC:C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA	Auf Lager2.574
MT29F4G08AACHC:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA	Auf Lager3.078
MT29F4G08AACWC:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TSOP Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager8.406
MT29F4G08AACWC-ET:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TSOP Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager2.412
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager5.328
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager6.390
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager5.940
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager23.136
MT29F4G08ABADAH4-AT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager7.380
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager3.078
MT29F4G08ABADAH4:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager5.598
MT29F4G08ABADAH4:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager14.760
MT29F4G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager8.064
MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager318
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager18.228
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager7.776
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager6.966
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager430
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-VFBGA (9x11)	Auf Lager6.300
MT29F4G08ABADAM60A3WC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL WAFER Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.164
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager529
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager5.472
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager8.514
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.318
MT29F4G08ABADAWP-AT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager4.014

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