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MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager7.584
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager5.166
MR4A16BCMA35 Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-LFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (8x8)	Auf Lager2.112
MR4A16BCMA35R Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-LFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (10x10)	Auf Lager7.956
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP2	Auf Lager1.167
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP2	Auf Lager12.078
MR4A16BMA35 Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-LFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (10x10)	Auf Lager26.628
MR4A16BMA35R Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-LFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (10x10)	Auf Lager8.010
MR4A16BYS35 Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP2	Auf Lager3.902
MR4A16BYS35R Everspin Technologies Inc.	Speicher IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 Hersteller: Everspin Technologies Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP2	Auf Lager7.254
MSM5117400F-60J3-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.570
MSM5117400F-60J3FAR1 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.904
MSM5117400F-60T3DR1 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.898
MSM5117400F-60T3-K-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL KBU Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 26-SMD Lieferantengerätepaket: KBU	Auf Lager4.824
MSM5117400F-60TDR1L Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
MSM5117405F-60J3-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.232
MSM5117405F-60T-DKX Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager29.616
MSM5118160F-60J3-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.968
MSM5118160F-60T3K-MT Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.732
MSM5118165F-60J3-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 42-SOJ	Auf Lager3.508
MSM5118165F-60T3K-MT Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager17.760
MSM51V17400F-60TDKX Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 26-TSOP	Auf Lager19.614
MSM51V17405F-60T3-K Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (4M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 104ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 26-TSOP	Auf Lager13.434
MSM51V18160F-60T3-K7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager15.504
MSM51V18165F-60J3-7 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 104ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 42-SOJ	Auf Lager3.544
MSM51V18165F-60T3 Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 104ns Zugriffszeit: 30ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket: 50-TSOP	Auf Lager3.996
MSM5412222B-25TK-MTL Rohm Semiconductor	Speicher IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 3Mb (256K x 12) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 23ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP	Auf Lager5.220
MSM56V16160K8T3K Rohm Semiconductor	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (512K x 16 x 2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager8.004
MSP14LV160-E1-GJ-001 Cypress Semiconductor	Speicher IC MEMORY FLASH NOR Hersteller: Cypress Semiconductor Corp Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.562
MSP14LV160-E1-GK-001 Cypress Semiconductor	Speicher IC MEMORY FLASH NOR Hersteller: Cypress Semiconductor Corp Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.600

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