Renesas Electronics America Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

HerstellerRenesas Electronics America Inc.

Datensätze 2

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Bild	Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Menge	Serie	FET-Typ	Technologie	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Lieferantengerätepaket	Paket / Fall
	GWS4618L	Renesas Electronics America Inc.	MOSFET N-CH LGA	4.014		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	KGF12N05-400-SP	Renesas Electronics America Inc.	IC MOSFET N-CH	4.482		-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	5.5V	12A (Ta)	3.5V, 4.5V	2.4mOhm @ 12A, 4.5V	800mV @ 250µA	6nC @ 3.5V	±5.5V	940pF @ 5.5V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	6-WLCSP (1.47x1.47)	6-SMD, No Lead

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