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ZXTNS618MCTA

ZXTNS618MCTA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTNS618MCTA
PNEDA Teilenummer ZXTNS618MCTA
Beschreibung TRANS NPN 20V 4.5A DFN
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 28.110
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXTNS618MCTA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTNS618MCTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZXTNS618MCTA, ZXTNS618MCTA Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 269,63 KB)
PDFZXTNS618MCTA Datenblatt Cover
ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 2 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 3 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 4 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 5 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 6 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 7 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 8 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 9 ZXTNS618MCTA Datenblatt Seite 10

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ZXTNS618MCTA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN + Diode (Isolated)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic270mV @ 125mA, 4.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2A, 2V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang140MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN (3x2)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

KSE5740TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 400mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 4A, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2N6520

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2SA1020-Y(T6TR1,AF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

PN3643_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

220mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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