ZXMP6A18DN8TA
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| Teilenummer | ZXMP6A18DN8TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXMP6A18DN8TA |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 33.366 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMP6A18DN8TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMP6A18DN8TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMP6A18DN8TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1580pF @ 30V |
| Leistung - max | 1.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-TSST |
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