ZXMN3A06DN8TC
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| Teilenummer | ZXMN3A06DN8TC |
| PNEDA Teilenummer | ZXMN3A06DN8TC |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMN3A06DN8TC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMN3A06DN8TC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMN3A06DN8TC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 796pF @ 25V |
| Leistung - max | 1.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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