ZTX325STOA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZTX325STOA |
| PNEDA Teilenummer | ZTX325STOA |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZTX325STOA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZTX325STOA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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ZTX325STOA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1.3GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 500MHz |
| Gewinn | 53dB |
| Leistung - max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 2mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | E-Line-3, Formed Leads |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.2dB Leistung - max 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17.8A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M216 Lieferantengerätepaket M216 |
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