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W94AD2KBJX5E

W94AD2KBJX5E

Nur als Referenz

Teilenummer W94AD2KBJX5E
PNEDA Teilenummer W94AD2KBJX5E
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W94AD2KBJX5E Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW94AD2KBJX5E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W94AD2KBJX5E, W94AD2KBJX5E Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 938,43 KB)
PDFW94AD2KBJX5E Datenblatt Cover
W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 2 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 3 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 4 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 5 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 6 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 7 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 8 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 9 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 10 W94AD2KBJX5E Datenblatt Seite 11

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W94AD2KBJX5E Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße1Gb (32M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-VFBGA (8x13)

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

CY7C1061G-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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78-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-2

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

16Gb (2G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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