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VVZ110-14IO7

VVZ110-14IO7

Nur als Referenz

Teilenummer VVZ110-14IO7
PNEDA Teilenummer VVZ110-14IO7
Beschreibung RECT BRIDGE 3PH 110A 1400V PWSE2
Hersteller IXYS
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VVZ110-14IO7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVVZ110-14IO7
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VVZ110-14IO7, VVZ110-14IO7 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 70,64 KB)
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VVZ175-14IO7 Datenblatt Seite 2

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VVZ110-14IO7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturBridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Anzahl der SCRs, Dioden3 SCRs, 3 Diodes
Spannung - Aus Zustand1.4kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)110A
Current - On State (It (RMS)) (max.)58A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)100mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)1150A, 1230A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPWS-E2

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Hersteller

Sensata-Crydom

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

80mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

600A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

TD430N22KOFHPSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

430A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKV105/10

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs, 3 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

135A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

78mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

40A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

385A, 400A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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