VT6J1T2CR
Nur als Referenz
| Teilenummer | VT6J1T2CR |
| PNEDA Teilenummer | VT6J1T2CR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 63.990 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
VT6J1T2CR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | VT6J1T2CR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- VT6J1T2CR Datasheet
- where to find VT6J1T2CR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor VT6J1T2CR
- VT6J1T2CR PDF Datasheet
- VT6J1T2CR Stock
- VT6J1T2CR Pinout
- Datasheet VT6J1T2CR
- VT6J1T2CR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- VT6J1T2CR Price
- VT6J1T2CR Distributor
VT6J1T2CR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Leistung - max | 120mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | VMT6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 660mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.59nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Leistung - max 2.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MA |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Leistung - max 600mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (1.6x1.6) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1418pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2030-6 (Type B) |
