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VS-SD703C12S30L

VS-SD703C12S30L

Nur als Referenz

Teilenummer VS-SD703C12S30L
PNEDA Teilenummer VS-SD703C12S30L
Beschreibung DIODE GP 1.2KV 790A DO200AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.830
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VS-SD703C12S30L Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-SD703C12S30L
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-SD703C12S30L, VS-SD703C12S30L Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 529,14 KB)
PDFVS-SD703C25S30L Datenblatt Cover
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VS-SD703C12S30L Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)790A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.85V @ 1500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypClamp On
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AB, B-PUK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6.6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1006 Metric)

Lieferantengerätepaket

DCSP1006010-N1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

GB02SHT03-46

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

76pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-46

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 225°C

HER101-T

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VS-SD823C12S30C

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

910A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

B-43, Hockey PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

S8CK-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

985mV @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

79pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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