VS-GB50YF120N
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| Teilenummer | VS-GB50YF120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB50YF120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 66A 330W ECONO |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.700 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GB50YF120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB50YF120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GB50YF120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 66A |
| Leistung - max | 330W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.5V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | ECONO2 4PACK |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 51A Leistung - max 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E1 Lieferantengerätepaket E1 |
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