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VS-GA200TH60S

VS-GA200TH60S

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GA200TH60S
PNEDA Teilenummer VS-GA200TH60S
Beschreibung IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GA200TH60S Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GA200TH60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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VS-GA200TH60S Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)260A
Leistung - max1042W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13.1nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDouble INT-A-PAK (3 + 4)
LieferantengerätepaketDouble INT-A-PAK

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Hersteller

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

605A

Leistung - max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

40.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF90DU60TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Leistung - max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FS100R17KS4F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

960W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF800R12KF4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

5000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

16mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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