VS-GA200TH60S
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| Teilenummer | VS-GA200TH60S |
| PNEDA Teilenummer | VS-GA200TH60S |
| Beschreibung | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GA200TH60S Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GA200TH60S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GA200TH60S Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 260A |
| Leistung - max | 1042W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 13.1nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 90A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
