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VS-GA200HS60S1PBF

VS-GA200HS60S1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GA200HS60S1PBF
PNEDA Teilenummer VS-GA200HS60S1PBF
Beschreibung IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.070
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GA200HS60S1PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GA200HS60S1PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GA200HS60S1PBF, VS-GA200HS60S1PBF Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 151,04 KB)
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VS-GA200HS60S1PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)480A
Leistung - max830W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.21V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce32.5nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-Pak
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

11500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS150R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

VS-100MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Leistung - max

403W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.49V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-MTP Module

Lieferantengerätepaket

MTP

FZ800R12KS4B2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

7600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

52nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FB30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

115W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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