VS-8EWS16SLHM3
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| Teilenummer | VS-8EWS16SLHM3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-8EWS16SLHM3 |
| Beschreibung | DIODES - D-PAK-E3 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-8EWS16SLHM3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-8EWS16SLHM3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-8EWS16SLHM3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp FERD (Field Effect Rectifier Diode) Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 8A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
