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VS-65PQ015-N3

VS-65PQ015-N3

Nur als Referenz

Teilenummer VS-65PQ015-N3
PNEDA Teilenummer VS-65PQ015-N3
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $42,0198
100 ---------- $40,0502
250 ---------- $38,0805
500 ---------- $36,1108
750 ---------- $34,4694
1.000 ---------- $32,8280
Auf Lager 1.986
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VS-65PQ015-N3 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-65PQ015-N3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-65PQ015-N3, VS-65PQ015-N3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 129,71 KB)
PDFVS-65PQ015-N3 Datenblatt Cover
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VS-65PQ015-N3 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)15V
Current - Average Rectified (Io)65A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 65A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr18mA @ 15V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYG24JHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAT54LPS-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1006 Metric)

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

JANTX1N5711-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/444

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

33mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

410mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

ESH2PC-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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