VS-1N3881
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Teilenummer | VS-1N3881 |
PNEDA Teilenummer | VS-1N3881 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.826 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-1N3881 Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-1N3881 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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VS-1N3881 Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 300ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Lieferantengerätepaket | DO-203AA |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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WeEn Semiconductors Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.9V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 55ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 10mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 24A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 27µA @ 420V Kapazität @ Vr, F. 401pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-PowerSOP Module Lieferantengerätepaket PG-HDSOP-10-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |