VS-1N3880R
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| Teilenummer | VS-1N3880R |
| PNEDA Teilenummer | VS-1N3880R |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.726 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-1N3880R Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-1N3880R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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VS-1N3880R Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 480ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 120A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 75A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 121ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
