VKM60-01P1
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| Teilenummer | VKM60-01P1 |
| PNEDA Teilenummer | VKM60-01P1 |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VKM60-01P1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VKM60-01P1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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VKM60-01P1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Leistung - max | 300W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ECO-PAC2 |
| Lieferantengerätepaket | ECO-PAC2 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XBGA, 4-FCBGA Lieferantengerätepaket EFCP1313-4CC-037 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
