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VBT1045C-M3/8W

VBT1045C-M3/8W

Nur als Referenz

Teilenummer VBT1045C-M3/8W
PNEDA Teilenummer VBT1045C-M3-8W
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VBT1045C-M3/8W Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVBT1045C-M3/8W
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
VBT1045C-M3/8W, VBT1045C-M3/8W Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 99,15 KB)
PDFVBT1045C-M3/4W Datenblatt Cover
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VBT1045C-M3/8W Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If580mV @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 45V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

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Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

95A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.48V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-220AB

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

730mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TO-263AB

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