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V8PAM12-M3/I

V8PAM12-M3/I

Nur als Referenz

Teilenummer V8PAM12-M3/I
PNEDA Teilenummer V8PAM12-M3-I
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

V8PAM12-M3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerV8PAM12-M3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
V8PAM12-M3/I, V8PAM12-M3/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 147,03 KB)
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V8PAM12-M3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®, TMBS®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)120V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If880mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 120V
Kapazität @ Vr, F.730pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
LieferantengerätepaketDO-221BC (SMPA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 175°C

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

300mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 300mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

46pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

USC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

DZ1070N22KHPSA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Current - Average Rectified (Io)

1100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.11V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 2200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

BAV5004WS-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

350V

Current - Average Rectified (Io)

300mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.29V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 240V

Kapazität @ Vr, F.

2.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5405-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

2A01G-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-15

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