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US6M2TR

US6M2TR

Nur als Referenz

Teilenummer US6M2TR
PNEDA Teilenummer US6M2TR
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Hersteller Rohm Semiconductor
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US6M2TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUS6M2TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
US6M2TR, US6M2TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 61,09 KB)
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US6M2TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketTUMT6

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XDFN

Lieferantengerätepaket

4-AlphaDFN (1.7x1.7)

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

DMN5L06DWK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 20V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

445pF @ 15V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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