UPA1912TE(0)-T1-AT
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| Teilenummer | UPA1912TE(0)-T1-AT |
| PNEDA Teilenummer | UPA1912TE-0-T1-AT |
| Beschreibung | MOSFET P-CH SC-95 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UPA1912TE(0)-T1-AT Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UPA1912TE(0)-T1-AT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
UPA1912TE(0)-T1-AT, UPA1912TE(0)-T1-AT Datenblatt
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UPA1912TE(0)-T1-AT Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-95 |
| Paket / Fall | SC-95 |
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