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ULN2003AIDE4

ULN2003AIDE4

Nur als Referenz

Teilenummer ULN2003AIDE4
PNEDA Teilenummer ULN2003AIDE4
Beschreibung IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
Hersteller Texas Instruments
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Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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ULN2003AIDE4 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerULN2003AIDE4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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ULN2003AIDE4 Technische Daten

Hersteller
Serie-
Transistortyp7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A, 2.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V, 70V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

160MHz, 180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

JANTXV2N2919

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ZDT6790TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V, 40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

150MHz, 100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

MC1413DG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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