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UH1CHE3/5AT

UH1CHE3/5AT

Nur als Referenz

Teilenummer UH1CHE3/5AT
PNEDA Teilenummer UH1CHE3-5AT
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UH1CHE3/5AT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUH1CHE3/5AT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
UH1CHE3/5AT, UH1CHE3/5AT Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 85,65 KB)
PDFUH1DHE3/61T Datenblatt Cover
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UH1CHE3/5AT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MUR140SHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

S150JR

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 150A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

UF4003HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R6200840XXOO

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

9µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AA, R62

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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