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UG4B-M3/54

UG4B-M3/54

Nur als Referenz

Teilenummer UG4B-M3/54
PNEDA Teilenummer UG4B-M3-54
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UG4B-M3/54 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUG4B-M3/54
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
UG4B-M3/54, UG4B-M3/54 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 78,1 KB)
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UG4B-M3/54 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.20pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

390mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

PMDS

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

S70Q

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 70A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 180°C

PMEG6020EPASX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

575mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5.5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

250pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN2020D-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

ES3HM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GB02SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

131pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-252

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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