U290
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| Teilenummer | U290 |
| PNEDA Teilenummer | U290 |
| Beschreibung | JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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U290 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | U290 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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U290 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 500mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 4V @ 3nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 0V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 3 Ohms |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AC, TO-52-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-206AC (TO-52) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 250 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
