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TSM60NB900CH C5G

TSM60NB900CH C5G

Nur als Referenz

Teilenummer TSM60NB900CH C5G
PNEDA Teilenummer TSM60NB900CH-C5G
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM60NB900CH C5G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM60NB900CH C5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TSM60NB900CH C5G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds315pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)36.8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251 (IPAK)
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-204AA (TO-3)

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

IRFP3703

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

209nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

SI2367DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

561pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AON4703

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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-

FET-Typ

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

510mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1633pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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